IT之家 4 月 19 日消息，英特爾今日宣布其已在位于美國俄勒岡州希爾斯伯勒的 Fab D1X 研發(fā)晶圓廠完成世界首臺商用 High NA（0.55NA） EUV 光刻機的組裝工作，目前已進入光學系統(tǒng)校準階段。
這臺光刻機型號 TWINSCAN EXE:5000，為 ASML 的首代 High NA EUV 光刻機，價值約 3.5 億美元（IT之家備注：當前約 25.38 億元人民幣）。
就在不久前 ASML 宣布其在荷蘭埃因霍溫總部的另一臺 High NA EUV 光刻機成功繪制了 10nm 線寬的密集線圖案。
英特爾表示 High-NA EUV 光刻機可擁有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻機的一維密度，這意味著在二維尺度上可實現(xiàn) 190% 的密度提升。
采用 High-NA EUV 光刻機，可以更精細的尺度制造生產(chǎn)半導(dǎo)體，繼續(xù)推動摩爾定律。
英特爾計劃從 2025 年的 18A 新技術(shù)驗證節(jié)點開始，在先進芯片開發(fā)和制造中同時使用 0.55NA 和 0.33NA 的 EUV 光刻機。
此外英特爾還計劃購買下一代 TWINSCAN EXE:5200B 光刻機，新機型晶圓吞吐量超過每小時 200 片。
不過根據(jù)IT之家此前報道，ASML 在 2021 年時對后 EXE:5000 產(chǎn)品的稱呼是 EXE:5200。暫不清楚 EXE:5200B 是 EXE:5200 的改名還是改進型號。
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