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英特爾宣布世界首臺商用 High NA EUV 光刻機完成組裝,計劃明年投入研發(fā)使用

2024/4/19 10:37:10 來源:IT之家 作者:溯波(實習) 責編:汪淼
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IT之家 4 月 19 日消息,英特爾今日宣布其已在位于美國俄勒岡州希爾斯伯勒的 Fab D1X 研發(fā)晶圓廠完成世界首臺商用 High NA(0.55NA) EUV 光刻機的組裝工作,目前已進入光學系統(tǒng)校準階段。

圖片 1

▲ 圖源英特爾新聞稿

這臺光刻機型號 TWINSCAN EXE:5000,為 ASML 的首代 High NA EUV 光刻機,價值約 3.5 億美元(IT之家備注:當前約 25.38 億元人民幣)。

就在不久前 ASML 宣布其在荷蘭埃因霍溫總部的另一臺 High NA EUV 光刻機成功繪制了 10nm 線寬的密集線圖案

英特爾表示 High-NA EUV 光刻機可擁有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻機的一維密度,這意味著在二維尺度上可實現(xiàn) 190% 的密度提升

采用 High-NA EUV 光刻機,可以更精細的尺度制造生產(chǎn)半導(dǎo)體,繼續(xù)推動摩爾定律。

英特爾計劃從 2025 年的 18A 新技術(shù)驗證節(jié)點開始,在先進芯片開發(fā)和制造中同時使用 0.55NA 和 0.33NA 的 EUV 光刻機。

此外英特爾還計劃購買下一代 TWINSCAN EXE:5200B 光刻機,新機型晶圓吞吐量超過每小時 200 片。

不過根據(jù)IT之家此前報道,ASML 在 2021 年時對后 EXE:5000 產(chǎn)品的稱呼是 EXE:5200。暫不清楚 EXE:5200B 是 EXE:5200 的改名還是改進型號。

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關(guān)鍵詞:英特爾光刻機,High NA

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