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單片單向互連帶寬最高 8×256Gb / s,國內(nèi)首款 2Tb / s 三維集成硅光芯粒成功出樣

2024/5/10 8:14:37 來源:IT之家 作者:故淵 責編:故淵
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IT之家 5 月 10 日消息,國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)公眾號昨日發(fā)布博文,攜手鵬城實驗室組建光電融合聯(lián)合團隊,成功研制出國內(nèi)首款 2Tb / s 硅光互連芯粒(chiplet),且在國內(nèi)首次驗證了 3D 硅基光電芯粒架構(gòu),實現(xiàn)了單片最高達 8×256Gb / s 的單向互連帶寬。

2Tb / s 硅基 3D 集成光發(fā)射芯粒 圖源:NOEIC

2Tb / s 硅基 3D 集成光接收芯粒 圖源:NOEIC

該團隊在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎上,進一步突破了光電協(xié)同設計仿真方法,研制出硅光配套的單路超 200G driver 和 TIA 芯片,并攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術(shù),形成了一整套基于硅光芯片的 3D 芯粒集成方案。

硅光互連芯粒的側(cè)向顯微鏡結(jié)構(gòu) 圖源:NOEIC

經(jīng)系統(tǒng)傳輸測試,8 個通道在下一代光模塊標準的 224Gb / s PAM4 光信號速率下,TDECQ 均在 2dB 以內(nèi)。通過進一步鏈路均衡,最高可支持速率達 8×256Gb / s,單片單向互連帶寬高達 2Tb / s。

8×224Gb / s 硅基光發(fā)射芯粒輸出眼圖 圖源:NOEIC

成果將廣泛應用于下一代算力系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心所需的 CPO、NPO、LPO、LRO 等各類光模塊產(chǎn)品中,為國內(nèi)信息光電子技術(shù)的率先突圍探索出可行路徑。

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關鍵詞:光電子半導體
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