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Hafnia 鐵電成突破 1000 層關(guān)鍵,三星 6 月將演示全新 QLC 3D VNAND 技術(shù)

2024/5/11 19:21:54 來源:IT之家 作者:故淵 責(zé)編:故淵

IT之家 5 月 11 日消息,三星高管于 2023 年 6 月預(yù)測(cè),V-NAND 在 2030 年將疊加到 1000 層以上,而最新消息稱鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)將成為這項(xiàng)成就的關(guān)鍵。

三星高管 Giwuk Kim 將于今年 6 月發(fā)表技術(shù)演講,課題為“在推動(dòng) 1000 層低電壓和 QLC 3D VNAND 進(jìn)程中,深入分析 Hafnia 鐵電的關(guān)鍵推動(dòng)因素,以及實(shí)驗(yàn)演示和建?!?。

在摘要部分中寫到,在金屬帶工程?hào)艠O中間層(BE-G.IL)、鐵電(FE)開關(guān)、溝道中間層(Ch.IL)和硅(MIFIS) FeFET 架構(gòu)中,使用 FE 開關(guān)相互作用,來顯著提高性能,表明 hafnia FE 成為擴(kuò)展 3D VNAND 技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)力。

IT之家此前報(bào)道,三星計(jì)劃明年推出第 10 代 NAND 芯片,采用三重堆疊技術(shù),達(dá)到 430 層,進(jìn)一步提高 NAND 的密度,并鞏固和擴(kuò)大其領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

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關(guān)鍵詞:三星,NAND

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