IT之家 5 月 11 日消息，三星高管于 2023 年 6 月預(yù)測(cè)，V-NAND 在 2030 年將疊加到 1000 層以上，而最新消息稱鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）將成為這項(xiàng)成就的關(guān)鍵。
三星高管 Giwuk Kim 將于今年 6 月發(fā)表技術(shù)演講，課題為“在推動(dòng) 1000 層低電壓和 QLC 3D VNAND 進(jìn)程中，深入分析 Hafnia 鐵電的關(guān)鍵推動(dòng)因素，以及實(shí)驗(yàn)演示和建?！?。
在摘要部分中寫到，在金屬帶工程?hào)艠O中間層（BE-G.IL）、鐵電（FE）開關(guān)、溝道中間層（Ch.IL）和硅（MIFIS） FeFET 架構(gòu)中，使用 FE 開關(guān)相互作用，來顯著提高性能，表明 hafnia FE 成為擴(kuò)展 3D VNAND 技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)力。
IT之家此前報(bào)道，三星計(jì)劃明年推出第 10 代 NAND 芯片，采用三重堆疊技術(shù)，達(dá)到 430 層，進(jìn)一步提高 NAND 的密度，并鞏固和擴(kuò)大其領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
相關(guān)閱讀：
《三星預(yù)測(cè) 1000 層以上的 NAND 將于 2030 年上市》
《三星啟動(dòng)其首批第九代 V-NAND 閃存量產(chǎn)》
《普及 100TB SSD，消息稱三星明年推出第 10 代 NAND：三重堆疊技術(shù)，最高 430 層》
廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。