IT之家 5 月 20 日消息，據(jù) TrendForce 集邦咨詢研究，三大原廠（IT之家備注：指美光、SK 海力士和三星電子）開始提高先進制程的投片，產(chǎn)能提升將集中在今年下半年，預(yù)計 1alpha nm（含）以上投片到年底將占 DRAM 總投片比重約 40%。以各家 TSV 產(chǎn)能來看，到年底 HBM 將占先進制程比重 35%，其余則用以生產(chǎn) LPDDR5 (X) 與 DDR5 產(chǎn)品。
以 HBM 最新發(fā)展進度來看，今年 HBM3e 將是市場主流，集中在今年下半年出貨。目前 SK 海力士依舊是主要供應(yīng)商，與美光均采用 1beta nm 制程，兩家現(xiàn)已正式出貨給英偉達(dá)；三星則采用 1alpha nm 制程，預(yù)計今年二季度完成驗證，于年中開始交付。
目前三大原廠的新廠規(guī)劃如下：
三星現(xiàn)有廠房 2024 年底產(chǎn)能大致滿載，新廠房 P4L 規(guī)劃于 2025 年完工，同時 Line15 廠區(qū)將進行制程轉(zhuǎn)換，由 1Ynm 轉(zhuǎn)換至 1beta nm 以上。
SK 海力士明年預(yù)計擴大 M16 產(chǎn)能，M15X 同樣也規(guī)劃于 2025 年完工，并于明年底量產(chǎn)。
美光中國臺灣廠區(qū)將于明年恢復(fù)至滿載，后續(xù)產(chǎn)能擴張將以美國廠為主，Boise 廠區(qū)預(yù)計于 2025 年完工并陸續(xù)移機，計劃 2026 年量產(chǎn)。
盡管三大原廠的新廠將于 2025 年完工，但部分廠房后續(xù)的量產(chǎn)時間尚未有明確規(guī)劃，需依賴 2024 年的獲利，才得以持續(xù)擴大規(guī)模。
除此之外，由于英偉達(dá) GB200 將于 2025 年大量出貨，其規(guī)格為 HBM3e 192/384GB，預(yù)計 HBM 產(chǎn)出將接近翻倍，緊接著三大原廠將開始研發(fā) HBM4，如果投資沒有明顯擴大，因各家產(chǎn)能規(guī)劃都以 HBM 優(yōu)先，在產(chǎn)能排擠的效應(yīng)下，DRAM 產(chǎn)品可能會供不應(yīng)求。
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