IT之家 7 月 4 日消息，《日經(jīng)新聞》報(bào)道稱(chēng)，鎧俠將于本 (7) 月內(nèi)在日本三重縣四日市工廠啟動(dòng) 1Tb 版 BiCS8 3D NAND 閃存的量產(chǎn)。
由鎧俠和西部數(shù)據(jù)聯(lián)合研發(fā)的 BiCS8 閃存于 2023 年 3 月發(fā)布，其堆疊層數(shù)達(dá)到 218 層，引入了 CBA (CMOS directly Bonded to Array) 外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列技術(shù)。
這一設(shè)計(jì)將外圍短路和單元存儲(chǔ)陣列劃分在不同晶圓上單獨(dú)制造，可提供更高的位密度的更快的 NAND I/O 速度。
鎧俠-西部數(shù)據(jù)聯(lián)盟在 BiCS8 閃存上規(guī)劃了多款產(chǎn)品。除首發(fā)的 1Tb TLC 和 1Tb QLC 外，鎧俠昨 (3) 日宣布面向高存儲(chǔ)密度設(shè)備的 2Tb QLC 版 BiCS8 閃存也已出樣。
鎧俠-西部數(shù)據(jù)聯(lián)盟未來(lái)還將進(jìn)一步擴(kuò)大閃存生產(chǎn)規(guī)模：
雙方已決定投資 7290 億日元（IT之家備注：當(dāng)前約 328.71 億元人民幣）擴(kuò)建在三重縣四日市和巖手縣北上市聯(lián)合運(yùn)營(yíng)的晶圓廠，用于生產(chǎn) BiCS 8/9 兩代閃存。
日本政府將給予投資額 1/3 的補(bǔ)貼支持。新建設(shè)的產(chǎn)能將于 2025 年 9 月開(kāi)始出貨。
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