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三星電子計劃 2025~2026 年推出 LP Wide I/O 堆疊移動內(nèi)存,位寬達 512bit

2024/7/17 16:13:19 來源:IT之家 作者:溯波(實習(xí)) 責(zé)編:溯波

IT之家 7 月 17 日消息,據(jù)三星電子 2024 年異構(gòu)集成路線圖,該企業(yè)正積極研發(fā)一款名為 LP Wide I/O 的新型移動內(nèi)存。

值得注意的是,三星電子以往曾提到過一種名稱與其相近的 LLW (Low Latency Wide I/O) 內(nèi)存,尚不能確認兩者關(guān)系。

三星異構(gòu)集成路線圖1

LP Wide I/O 內(nèi)存將于 2025 年一季度實現(xiàn)技術(shù)就緒,2025 下半年至 2026 年中實現(xiàn)量產(chǎn)就緒。

路線圖顯示,LP Wide I/O 內(nèi)存單封裝位寬將達到現(xiàn)有 HBM 內(nèi)存的一半 —— 即 512bit

作為對比,目前的 LPDDR5 內(nèi)存大多數(shù)是單封裝四通道共 64bit,未來的 LPDDR6 內(nèi)存也僅有 96bit。

更大的位寬意味著三星電子的 LP Wide I/O 內(nèi)存可提供遠勝于現(xiàn)有移動內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存帶寬,滿足設(shè)備端 AI 應(yīng)用等場景的需求。

在相對較小的移動內(nèi)存芯片上實現(xiàn) 512bit 位寬,勢必需要堆疊 DRAM 芯片,但 HBM 采用的 TSV 硅通孔方式也不適合移動內(nèi)存各層 DRAM 間的互聯(lián)。

因此三星電子將在 LP Wide I/O 內(nèi)存上采用一項名為 VCS (全稱 Vertical Cu Post Stack) 的全新垂直互聯(lián)技術(shù)。

SK 海力士的 VFO 技術(shù)類似,三星電子的 VCS 技術(shù)也是將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。

三星異構(gòu)集成路線圖2

三星電子表示,VCS 先進封裝技術(shù)相較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和帶寬;

相較 VWB 垂直引線鍵合 (IT之家注:全稱 Vertical Wire Bonding,疑似指代 SK 海力士的 VFO 技術(shù)) ,三星電子宣稱其 VCS 技術(shù)的生產(chǎn)效率是前者 9 倍。

三星電子在圖片中還提到,其 LPDDR6 內(nèi)存也預(yù)計于 2025~2026 年量產(chǎn)就緒。

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關(guān)鍵詞:內(nèi)存,三星電子

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