IT之家 7 月 22 日消息，TrendForce 集邦咨詢?cè)诮袢展嫉淖钚卵袌?bào)中表示，在 HBM 和 QLC 崛起的帶動(dòng)下，2024 年 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收年增幅度均將超過七成。
具體而言，DRAM 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收將達(dá) 907 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 6602.49 億元人民幣），環(huán)比增長(zhǎng) 75%；而 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收將達(dá) 674 億美元（當(dāng)前約 4906.37 億元人民幣），環(huán)比增長(zhǎng) 77%。
展望 2025 年，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì) DRAM 內(nèi)存、NAND 閃存產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收還將分別出現(xiàn) 51% 和 29% 的環(huán)比增長(zhǎng)，分別達(dá)到 1365 億美元和 870 億美元。
DRAM 內(nèi)存
研報(bào)提到，2024、2025 兩年的 DRAM 內(nèi)存均價(jià)分別將上漲 53% 和 35%。
而驅(qū)動(dòng) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)持續(xù)快速增長(zhǎng)的主要因素包括四項(xiàng)：HBM 崛起、一般型 DRAM 產(chǎn)品世代演進(jìn)、原廠資本支出限縮供給、服務(wù)器需求復(fù)蘇。
其中 HBM 內(nèi)存的火熱將同步提升位元需求和產(chǎn)業(yè)平均價(jià)格，預(yù)估今年 HBM 將貢獻(xiàn) DRAM 位元出貨量 5%，營(yíng)收貢獻(xiàn)則可達(dá)到 20%；
此外，服務(wù)器 DDR、移動(dòng) LPDDR 內(nèi)存的世代更替同樣也有助于高附加價(jià)值產(chǎn)品的滲透，進(jìn)而推高 DRAM 內(nèi)存平均價(jià)格。
研報(bào)預(yù)估 DDR5 內(nèi)存將在 2024、2025 兩年的服務(wù)器 DRAM 位元出貨量中分別占據(jù) 40% 和 60~65%；而 LPDDR5 (X) 在今明兩年也將分別貢獻(xiàn)移動(dòng)內(nèi)存位元出貨量的 50% 和 60%。
NAND 閃存
對(duì)于 NAND 閃存來說，其明年產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)動(dòng)力除與 DRAM 內(nèi)存相同的原廠資本支出限縮供給、服務(wù)器需求復(fù)蘇外，還包括 QLC 企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的崛起和智能手機(jī)對(duì) QLC UFS 閃存的導(dǎo)入。
北美云服務(wù)供應(yīng)商已開始在 AI 推理服務(wù)器上大規(guī)模應(yīng)用 QLC 企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤，尤其是 QLC 的大容量型號(hào)。
研報(bào)預(yù)計(jì)部分中國(guó)業(yè)者將從今年 4 季度起在智能手機(jī)中搭載 QLC UFS 存儲(chǔ)，而蘋果 iPhone 則將從 2026 年開始導(dǎo)入此類產(chǎn)品。
種種因素推動(dòng)下，QLC 閃存將在今年貢獻(xiàn)整體 NAND 位元出貨量的 20%，明年這一數(shù)值還將進(jìn)一步提升。
產(chǎn)業(yè)資本支出
機(jī)構(gòu)預(yù)估 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)在 2025 年的資本支出將同比增長(zhǎng) 25% 和 10%，且有進(jìn)一步上升勢(shì)頭。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。