IT之家 8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布在業(yè)界率先成功開發(fā)第六代 10 納米級（1c nm）DDR5 DRAM 內存的同時，也表示 1c nm 工藝將用于多款其它 DRAM 內存產品。
SK 海力士 DRAM 開發(fā)擔當副社長金鍾煥在新聞稿中表示：
1c 工藝技術兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖偁幜?，公司將其應用?strong>新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進 DRAM 主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。
今后公司也將堅守 DRAM 市場的領導力，鞏固最受客戶信賴的 AI 用存儲器解決方案企業(yè)的地位。
IT之家注意到，金鍾煥在發(fā)言中為采用 1c nm 制程的 LPDDR 與 GDDR 指定了產品世代，但并未在 HBM 產品上提到具體世代。
根據(jù)此前報道，SK 海力士的 HBM4E 內存有望采用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片，此外 SK 海力士內部也曾有在 HBM4 產品中就導入 1c nm DRAM 的聲音。
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