IT之家 10 月 9 日消息，ASML 新任 CEO 傅恪禮（Christophe Fouquet）出席 SPIE 大會并發(fā)表演講，重點介紹了 High NA EUV 光刻機。
他提到，High NA EUV 光刻機不太可能像最初的 EUV 光刻機那樣出現延遲。傅恪禮還談到了組裝掃描儀子組件的新方法，即直接在客戶工廠安裝，無需經歷拆卸及再組裝的過程。這將大大節(jié)省 ASML 與客戶之間的時間和成本，有助于加快 High NA EUV 光刻機的發(fā)的和交付。
緊隨其后上臺的是英特爾院士兼光刻總監(jiān) Mark Phillips，他表示英特爾已經在波特蘭工廠完成了兩臺 High NA 光刻系統(tǒng)的安裝，而且他還公布了一些資料，表明 High NA EUV 相對于標準 EUV 光刻機所帶來的改進可能要比之前想象中還要多。
他表示，由于已經有了經驗，第二套 High NA EUV 光刻系統(tǒng)的安裝速度比第一個還要更快。據稱，High NA 所需的所有基礎設施已經到位并開始運行。用于 High NA 的光刻掩模檢測工作已經按計劃開始進行。因此，英特爾無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產。
Mark 還被問到了關于 CAR（化學放大抗蝕劑）與金屬氧化物抗蝕劑的問題，他表示 CAR 目前還夠用，但可能在未來某個時候需要金屬氧化物光刻膠。英特爾目標插入點是 Intel 14A 工藝（IT之家注：預計 2026~2027 年量產），這可能比預期的要更快。
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