IT之家 10 月 26 日消息，德州儀器 TI 本月 24 日宣布，其位于日本會(huì)津的工廠已開(kāi)始生產(chǎn)基于氮化鎵 GaN 材料的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，這也意味著德州儀器的整體 GaN 功率半導(dǎo)體產(chǎn)能升至以往四倍。
德州儀器技術(shù)和制造高級(jí)副總裁 Mohammad Yunus 表示：
憑借十多年來(lái)在氮化鎵芯片設(shè)計(jì)和制造方面的專業(yè)知識(shí)，我們已成功驗(yàn)證了我們的 200mm（IT之家注：即 8 英寸）氮化鎵技術(shù) —— 當(dāng)今最具可擴(kuò)展性和成本競(jìng)爭(zhēng)力的 GaN 制造方法 —— 并在會(huì)津開(kāi)始量產(chǎn)。
這一里程碑使我們能夠在內(nèi)部制造更多的 GaN 芯片，到 2030 年，我們的內(nèi)部制造率將達(dá)到 95% 以上，同時(shí)還可以從德州儀器的多個(gè)地點(diǎn)采購(gòu)，確保我們整個(gè) GaN 高功率、高能效半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的可靠供應(yīng)。
會(huì)津 GaN 功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線的投入量產(chǎn)也意味著德州儀器可將其 GaN 器件擴(kuò)展到 900V 乃至更高的電壓，開(kāi)創(chuàng)更為廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景；此外德州儀器今年早些時(shí)候成功進(jìn)行了 300mm（12 英寸）晶圓 GaN 制造工藝的試點(diǎn)。
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