IT之家 10 月 31 日消息，三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june 在第三季度財報公布后召開的電話會議上表示：“目前，我們正在量產(chǎn) 8 層和 12 層 HBM3E 產(chǎn)品?！?/p>
據(jù)他所說，該公司在滿足“主要客戶”的質(zhì)量測試要求方面取得了“有意義的進(jìn)展”。該客戶很顯然指的是英偉達(dá)。
他還表示：“我們正在向多個客戶擴(kuò)大 8 層和 12 層 HBM3E 芯片的銷售。我們正在努力改進(jìn)我們的 HBM3E，以符合一家大客戶的下一代 GPU 計劃?！?/p>
此外，三星還表示該公司正在開發(fā)第 6 代 HBM4 產(chǎn)品，計劃從明年下半年開始批量生產(chǎn)。
目前，三星電子 HBM3E 產(chǎn)品完全依賴于其 14nm 級（IT之家注：即 1a nm）DRAM，而另外兩家主要 HBM 內(nèi)存企業(yè) SK 海力士與美光的產(chǎn)品則基于 1b DRAM，三星天然存在相對工藝劣勢。
此外三星電子在其 12nm 級（1b nm）DRAM 的最初設(shè)計中并未考慮到 HBM 領(lǐng)域的用途，因此三星無法立即調(diào)整 HBM3E 內(nèi)存的 DRAM Die 選用。
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