IT之家 1 月 21 日消息，華碩 ROG 官方今日展示了其 NitroPath DRAM 技術(shù)，可以理解為重新設(shè)計(jì)主板上內(nèi)存插槽根部固定結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而提高內(nèi)存信號(hào)完整性以及內(nèi)存 OC 超頻性能。
IT之家查詢發(fā)現(xiàn)，ROG Crosshair X870E Hero 和 ROG Strix X870E-E Gaming WiFi 目前已經(jīng)支持這項(xiàng)技術(shù)，官方標(biāo)稱內(nèi)存條固定力度增加 57%，超頻性能提高 400 MT/s。
同時(shí)，新型插槽比傳統(tǒng)插槽設(shè)計(jì)更耐磨，對于可能需要時(shí)不時(shí)升級或更換內(nèi)存的發(fā)燒友來說算是一種額外賣點(diǎn)。
對于這項(xiàng)功能，我們需要稍微了解一點(diǎn)電氣工程知識(shí)。簡單來說，現(xiàn)代 DIMM 采用了采用 288 pin 針腳，這意味著 DIMM 上有 288 個(gè)“金手指”焊盤需要與 DRAM 插槽中的 288 個(gè)針腳接觸。
華碩這里采用了各種策略，包括 PCB 材料搭配、優(yōu)化走線布局、精密焊接等手段，從而最大限度地減少信號(hào)反射和干擾，從而確保性能穩(wěn)定。
在傳統(tǒng) DRAM 插槽中，每個(gè)針腳都有一部分“殘余”，也就是從接觸點(diǎn)向上延伸而出的部分。此殘余通過確保用戶不會(huì)因?qū)⒔鹗种覆迦虢饘僮呔€的尖端而刮傷內(nèi)存模塊來保護(hù)內(nèi)存模塊。但是這些殘余也會(huì)導(dǎo)致信號(hào)反射和干擾。
華碩表示，在正常的 DDR5 速度下，這些殘余引起的反射是可控的，但是當(dāng)內(nèi)存速度提高到 8000 MT/s 以上時(shí)，它所產(chǎn)生的影響就會(huì)越來明顯。
華碩 NitroPath DRAM 技術(shù)采用了一種新的針腳布局方法，他們不再讓針腳從 DIMM 向上延伸，而是將針腳向內(nèi)折疊，同時(shí)仍確保尖銳邊緣不會(huì)與金手指接觸。這一方面可使得殘余長度縮短約 70%，而且無需對 DIMM 結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整，搭配現(xiàn)有內(nèi)存也可以正常使用。
華碩內(nèi)部測試表明，NitroPath DRAM 技術(shù)對具有四個(gè) DIMM 插槽的主板影響最大，而只有兩個(gè) DIMM 插槽的型號(hào)內(nèi)存性能本身已經(jīng)足夠優(yōu)秀，因此其收益并不大。
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