IT之家 3 月 26 日消息，近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）宣布通過(guò)不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度，ICP 雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī) Primo Twin-Star? 又取得新的突破，反應(yīng)臺(tái)之間的刻蝕精度已達(dá)到 0.2A（亞埃級(jí)）。
據(jù)介紹，這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗(yàn)證。該精度約等于硅原子直徑 2.5 埃的十分之一，是人類(lèi)頭發(fā)絲平均直徑 100 微米的 500 萬(wàn)分之一。
在 200 片硅片的重復(fù)性測(cè)試中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的測(cè)試晶圓，在左右兩個(gè)反應(yīng)臺(tái)上各 100 片的平均刻蝕速度相差，各為每分鐘 0.9 埃，1.5 埃和 1.0 埃。兩個(gè)反應(yīng)臺(tái)之間平均刻蝕速度的差別（≤ 0.09%），遠(yuǎn)小于一個(gè)反應(yīng)臺(tái)加工多片晶圓刻蝕速度的差別（≤ 0.9%）。
中微公司透露，CCP 的雙臺(tái)機(jī) Primo D-RIE? 和 Primo AD-RIE? 的加工精度，兩個(gè)反應(yīng)臺(tái)的刻蝕重復(fù)性和在生產(chǎn)線上的重復(fù)性也早已達(dá)到和 Primo Twin-Star? 相同的水平。在兩個(gè)反應(yīng)臺(tái)各輪流加工 1000 片的重復(fù)性測(cè)試中，兩個(gè)反應(yīng)臺(tái)的平均刻蝕速度相差，只有每分鐘９埃，小于 1.0 納米。
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