IT之家4月2日消息 據(jù)韓國媒體消息，芯片制造商 SK 海力士新建工廠的規(guī)劃今日得到韓國政府批準(zhǔn)，該工廠總投資額將達(dá)到 1060 億美元，地點(diǎn)位于首爾南部約 50 公里的位置。
消息表示，SK 海力士此工廠總面積額將達(dá)到 415 萬平方米，計(jì)劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度開工，2025 年建成投產(chǎn)。這一大型工廠將包含四個(gè)晶圓加工廠，每個(gè)月產(chǎn)量為 80 萬片。
IT之家此前報(bào)道，SK 海力士近日表示，將在未來 10 年內(nèi)開發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片，以及 600 層堆疊的 NAND 閃存。截至目前，該公司已經(jīng)成功研發(fā)出 176 層堆疊的 3D NAND。新技術(shù)將引入新的電介質(zhì)材料來保持均勻電荷，從而保持可靠性，減少漏電。
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