IT之家 11 月 24 日消息，眾所周知，由于某些原因，ASML 最先進(jìn)的 EUV 光刻機(jī)無法進(jìn)入中國內(nèi)地，甚至一些海外廠商換下來的舊設(shè)備也很難進(jìn)入內(nèi)地。
此前路透社援引知情人士的話報道稱，韓國企業(yè) SK 海力士無錫工廠的升級改造計劃遇阻，僅僅是因為阿斯麥的極紫外光刻機(jī)無法獲批進(jìn)入中國大陸，雖然 SK 海力士十分希望通過該設(shè)備提高存儲芯片的生產(chǎn)效率。
據(jù)多個外媒報道，SK 海力士 CEO 李錫熙（Seok-hee Lee）對此進(jìn)行了回應(yīng)，并就無錫海力士半導(dǎo)體工廠的相關(guān)情況進(jìn)行了溝通。
22 日上午，李錫熙社長在首爾三成洞 COEX 舉辦的‘第 14 屆半導(dǎo)體日’活動上會見記者時表示：“我們可以通過合作很好地應(yīng)對?！?/p>
他認(rèn)為，SK 海力士有足夠的時間將 EUV 設(shè)備進(jìn)口到中國。李錫熙對于引進(jìn)受限一事表示：正與美方合作，目前進(jìn)展良好。EUV 光刻技術(shù)已經(jīng)在韓國本土的 DRAM 產(chǎn)線上應(yīng)用，中國工廠還有充足的時間供斡旋溝通。
當(dāng)被問及此時是否會影響無錫工廠正常工作時，他表示，“1a DRAM 已于 7 月在總部開始量產(chǎn)”“中國工廠還有很多時間”。
IT之家了解到，SK 海力士在無錫工廠引進(jìn)的光刻機(jī)將用于制造 10nm DRAM 芯片，也就是第四代內(nèi)存。SK 海力士已經(jīng)在京畿道利川和無錫的工廠生產(chǎn)此類 DRAM。從去年 7 月開始，SK 海力士還量產(chǎn)了全球首次應(yīng)用 EUV 的 10nm 級第 4 代（1a）DRAM。
根據(jù)此前 TrendForee 統(tǒng)計數(shù)據(jù)，無錫工廠對全球電子行業(yè)至關(guān)重要，其生產(chǎn)了 SK 海力士約半數(shù)的動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片（DRAM），占全球總量的 15%。另一家市場分析公司 IDC 稱，僅 2021 年，全球內(nèi)存市場的需求就將增長 19%。
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