最低 5nm,中國(guó)長(zhǎng)城宣布推出全自動(dòng) 12 寸晶圓激光開(kāi)槽設(shè)備

2022/4/6 17:54:13 來(lái)源:IT之家 作者:長(zhǎng)河 責(zé)編:長(zhǎng)河

IT之家 4 月 6 日消息,今日,中國(guó)長(zhǎng)城官微宣布,公司旗下鄭州軌道交通信息技術(shù)研究院在研制半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割設(shè)備的經(jīng)驗(yàn)和基礎(chǔ)上,推出了支持超薄晶圓全切工藝的全自動(dòng) 12 寸晶圓激光開(kāi)槽設(shè)備。

中國(guó)長(zhǎng)城宣布推出全自動(dòng) 12 寸晶圓激光開(kāi)槽設(shè)備

▲ 圖源:中國(guó)長(zhǎng)城

據(jù)介紹,該設(shè)備除了具備常規(guī)激光開(kāi)槽功能之外,還支持 5nm DBG 工藝、120 微米以下超薄 wafer 全切割功能、晶圓廠 IGBT 工藝端相關(guān)制程和 TAIKO 超薄環(huán)切等各種高精端工藝。

IT之家了解到,中國(guó)長(zhǎng)城官方表示,該設(shè)備采用的模塊化設(shè)計(jì),可支持不同脈寬(納秒、皮秒、飛秒)激光器。自主研發(fā)的光學(xué)系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)光斑寬度及長(zhǎng)度連續(xù)可調(diào),配合高精度運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái)等技術(shù),與激光隱切設(shè)備結(jié)合,解決了激光隱切設(shè)備對(duì)表面材質(zhì)、厚度、晶向、電阻率的限制,有助于控制產(chǎn)品破損率、提高芯片良率。

中國(guó)長(zhǎng)城宣布推出全自動(dòng) 12 寸晶圓激光開(kāi)槽設(shè)備

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