IT之家 6 月 10 日消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)消息，臺灣美光今天組織媒體參觀美光 A3 廠，臺灣美光董事長盧東暉宣布表示，A3 廠將下半年導(dǎo)入先進(jìn)極紫外光設(shè)備，為美光 1γ DRAM 早日量產(chǎn)預(yù)做準(zhǔn)備。
據(jù)介紹，美光規(guī)劃 2024 年量產(chǎn) 1γ DRAM 芯片。
據(jù)報(bào)道，美光的 DRAM 制造基地主要在中國臺灣和日本，其中 1α DRAM 已在臺量產(chǎn)。另外，1β DRAM 將于今年底在日本量產(chǎn)，之后將轉(zhuǎn)移到臺灣生產(chǎn)。
IT之家了解到，內(nèi)存廠商上一代 DRAM 芯片通過為 1X、1Y、1Z 區(qū)分工藝，1Xnm 工藝相當(dāng)于 16-19nm 級別、1Ynm 相當(dāng)于 14-16nm，1Znm 工藝相當(dāng)于 12-14nm 級別。據(jù)業(yè)界消息，最新的 1α、1β 和 1γ 可能分別相當(dāng)于 14-12nm、12-10nm 以及 10nm。
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