IT之家 12 月 22 日消息，意法半導(dǎo)體 (簡稱 ST) 和半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造公司 Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC) 襯底合作計(jì)劃，由意法半導(dǎo)體在今后 18 個月內(nèi)完成對 Soitec 碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認(rèn)證測試。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC 技術(shù)制造未來的 8 英寸碳化硅襯底，促進(jìn)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)，并在中期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
碳化硅 (SiC) 是一種顛覆性的化合物半導(dǎo)體材料，在電動汽車和工業(yè)制程領(lǐng)域重要的高增長功率應(yīng)用中，碳化硅材料的固有性質(zhì)令碳化硅器件的性能和能效優(yōu)于硅基半導(dǎo)體。IT之家了解到，碳化硅可以實(shí)現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換、更緊湊的輕量化設(shè)計(jì)，并節(jié)省整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本 —— 所有這些都是汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和要素。從 6 英寸晶圓升級到 8 英寸晶圓，可以使制造集成電路的可用面積增加幾乎一倍，每個晶圓上的有效出片量達(dá)到升級前的 1.8-1.9 倍，因此大幅增加產(chǎn)能。
SmartSiC 是 Soitec 的專有技術(shù)，基于 Soitec 專有的 SmartCut 技術(shù)，從高質(zhì)量碳化硅供體晶圓上切下一個薄層，將其粘合到待處理的低電阻多晶硅晶圓片表面。如此加工后的襯底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外，優(yōu)質(zhì)的碳化硅供體晶圓可以多次重復(fù)使用，因此可以大幅降低供體加工的總能耗。
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