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SK 海力士:計劃在 2026 年前量產(chǎn) HBM4 內(nèi)存

2024/2/4 11:03:18 來源:IT之家 作者:遠洋 責編:遠洋
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IT之家 2 月 4 日消息,隨著人工智能 (AI) 和高性能計算 (HPC) 行業(yè)的飛速發(fā)展,對內(nèi)存帶寬的要求也水漲船高。目前擁有 9.6 GT/s數(shù)據(jù)傳輸速率的 HBM3E 內(nèi)存剛剛實現(xiàn)量產(chǎn),但下一代 HBM4 內(nèi)存已經(jīng)箭在弦上,預(yù)計在兩年內(nèi)與大家見面。

圖源:AMD

根據(jù) Business Korea 報道,SK 海力士公司副總裁 Chun-hwan Kim 在 SEMICON Korea 2024 大會上表示,他們正計劃于 2026 年之前實現(xiàn) HBM4 的量產(chǎn),以滿足生成式人工智能快速發(fā)展帶來的巨大需求。生成式人工智能市場預(yù)計將以每年 35% 的速度增長,這將推動處理器性能的提升,進而對內(nèi)存帶寬提出更高的要求。

據(jù)IT之家了解,目前單顆 HBM3E 內(nèi)存堆棧能夠提供高達 1.2TB / s 的理論峰值帶寬,如果一個內(nèi)存子系統(tǒng)包含 6 個堆棧,總帶寬則可達到驚人的 7.2 TB / s。然而,理論值與實際應(yīng)用之間存在差距。例如,英偉達的 H200 顯卡雖然搭載了 HBM3E 內(nèi)存,但其提供的帶寬“只有”4.8 TB / s,這可能是出于可靠性和功耗方面的考慮。

為了進一步提升內(nèi)存帶寬,HBM4 將采用 2048 位接口,理論峰值帶寬可超過 1.5 TB / s。為了控制功耗,HBM4 的數(shù)據(jù)傳輸速率預(yù)計保持在 6 GT/s左右。不過,2048 位接口需要更復(fù)雜的布線設(shè)計,這將導(dǎo)致 HBM4 的成本高于 HBM3 和 HBM3E。

除了 SK 海力士,三星也在積極研發(fā) HBM4 內(nèi)存,并同樣計劃于 2026 年量產(chǎn)。值得一提的是,三星還針對特定客戶開發(fā)定制化 HBM 內(nèi)存解決方案。

三星內(nèi)存業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁 Jaejune Kim 表示:“HBM4 目前正在開發(fā)中,預(yù)計在 2025 年提供樣品,2026 年實現(xiàn)量產(chǎn)。由于生成式人工智能的需求,定制化 HBM 內(nèi)存也越來越受歡迎。我們不僅在開發(fā)標準產(chǎn)品,還將與關(guān)鍵客戶討論通過添加邏輯芯片為每個客戶定制優(yōu)化性能的 HBM 內(nèi)存?!?/p>

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