IT之家 2 月 22 日消息，存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)行業(yè)協(xié)會(huì)（SNIA）多位專家近日預(yù)估，21 世紀(jì) 20 年代末將會(huì)掀起持久內(nèi)存（PMEM）變革浪潮，相信新技術(shù)將取代 DRAM 等成熟的存儲(chǔ)技術(shù)。
IT之家注：持久內(nèi)存作為一個(gè)內(nèi)存和外存的混合體，其高速持久化的特性在某些磁盤(pán) IO 作為性能瓶頸的場(chǎng)景下是一個(gè)破局的解法。
SNIA 的 Arthur Sainio、Tom Coughlin 和 Jim Handy 專家表示，以 SK 海力士和美光研制的鉿鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存為例，其運(yùn)行速度已經(jīng)達(dá)到現(xiàn)代 DRAM 的水平，但目前無(wú)法確認(rèn)哪種新興內(nèi)存技術(shù)成為最后的贏家，最終取代客戶端 PC 和服務(wù)器中的 DRAM。
鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存的特點(diǎn)是快速寫(xiě)入周期，但它還有諸多強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)者。這是因?yàn)?MRAM、FERAM 和 ReRAM 等多種新型存儲(chǔ)器技術(shù)都在競(jìng)相取代 SRAM、NOR 閃存和 DRAM 等現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)。
專家表示 MRAM 與其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比具有很大的優(yōu)勢(shì)，在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，其讀取速度可以媲美 DRAM。
自旋軌道力矩（spin-orbit torque）和電壓調(diào)控磁各向異性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器等新技術(shù)也正在縮短 MRAM 的寫(xiě)入延遲時(shí)間，使其成為有朝一日可能取代 DRAM 的主要候選產(chǎn)品之一。
MRAM 磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存
磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存，是一種非易失性內(nèi)存技術(shù)，從 1990 年代開(kāi)始發(fā)展。這個(gè)技術(shù)的擁護(hù)者認(rèn)為，這個(gè)技術(shù)速度接近 SRAM，具有快閃存儲(chǔ)器的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，平均能耗遠(yuǎn)低于 DRAM，成為真正的通用型內(nèi)存。
FeRAM 鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存
鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存，類似于 SDRAM，是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)。但因?yàn)樗褂昧艘粚佑需F電性的材料，取代原有的介電質(zhì)，使得它也擁有非揮發(fā)性內(nèi)存的功能。
ReRAM 可變電阻式存儲(chǔ)器
可變電阻式存儲(chǔ)器，是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，和另一種新型的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一起屬于新世代的存儲(chǔ)器。
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