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IT之家 5 月 17 日消息，臺(tái)積電近日出席本周舉辦的 2024 歐洲技術(shù)研討會(huì)，展示使用 12FFC+（12 納米級(jí)）和 N5（5 納米級(jí)）工藝技術(shù)制造的 HBM4 基礎(chǔ) Dies，從而提高 HBM4 的性能和能效。
IT之家翻譯臺(tái)積電設(shè)計(jì)與技術(shù)平臺(tái)高級(jí)總監(jiān)內(nèi)容如下：
我們正與主要的 HBM 存儲(chǔ)器合作伙伴（美光、三星、SK hynix）合作，在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn) HBM4 全堆棧集成。12FFC+ 基礎(chǔ) Dies 在滿(mǎn)足 HBM 性能要求的情況下具備成本優(yōu)勢(shì)，而 N5 基礎(chǔ) Dies 又可以在更低功耗下達(dá)到 HBM4 預(yù)期速度。
采用臺(tái)積電 12FFC+ 工藝（源自該公司成熟的 16 納米 FinFET 技術(shù)）制造的基礎(chǔ)芯片將能夠構(gòu)建 12-Hi 和 16-Hi HBM4 存儲(chǔ)器堆棧，容量分別為 48 GB 和 64 GB。
使用 12FFC+ 工藝將實(shí)現(xiàn) "高性?xún)r(jià)比" 的基礎(chǔ)芯片，這些芯片將使用硅內(nèi)插件將內(nèi)存連接到主機(jī)處理器。
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