IT之家 7 月 23 日消息,微電子標準制定方 JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會當?shù)貢r間 22 日宣布,DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM 內存技術規(guī)范即將正式推出,并介紹了這兩項內存的關鍵細節(jié)。
DDR5 MRDIMM 中的“MR”即 Multiplexed Rank(多路復用列),這意味著該內存支持兩個或以上的 Rank(列),并可在單個通道上組合和傳輸多個數(shù)據(jù)信號,無需額外的物理連接就能有效提升帶寬。
JEDEC 規(guī)劃了多代 DDR5 MRDIMM 內存,目標最終將其帶寬提升至 12.8Gbps,較 DDR5 RDIMM 內存目前的 6.4Gbps 翻倍。
在 JEDEC 的設想中,DDR5 MRDIMM 將利用與現(xiàn)有 DDR5 DIMM 相同的引腳、SPD、PMIC 等設計,與 RDIMM 平臺兼容,并利用現(xiàn)有的 LRDIMM 生態(tài)系統(tǒng)進行設計與測試。
此外 JEDEC 還規(guī)劃了 Tall MRDIMM 外形尺寸。正如其名,這一設計將采用更高的外形尺寸,使其支持的 DRAM 封裝數(shù)量翻倍,可進一步提升內存容量。
而在 LPDDR6 CAMM 方面,JEDEC 表示預計將實現(xiàn) 14.4GT/s 以上的最大速度,同時將提到 24bit 位寬子通道、48bit 位寬通道并支持“連接器陣列”(IT之家注:原文為 connector array)。
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