IT之家 1 月 24 日消息，國(guó)內(nèi)內(nèi)存接口芯片企業(yè)瀾起科技今日宣布其最新研發(fā)的第二子代多路復(fù)用寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（MRCD）、多路復(fù)用數(shù)據(jù)緩沖器（MDB）套片已成功向全球主要內(nèi)存廠商送樣。
該套片專為 DDR5 MRDIMM 內(nèi)存模組而設(shè)計(jì)（IT之家注：一根 MRDIMM 配備 1 顆 MRCD 和 10 顆 MDB），最高支持 12800 MT/s 傳輸速率，相較第一子代的 8800MT/s 進(jìn)一步提升約 45%。
MRCD 芯片在 MRDIMM 內(nèi)存條中緩沖和中繼來(lái)自內(nèi)存控制器的地址、命令、時(shí)鐘和控制信號(hào)；而 MDB 則負(fù)責(zé)緩沖和中繼來(lái)自內(nèi)存控制器或 DRAM 內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號(hào)。
這兩種芯片和時(shí)分復(fù)用技術(shù)的結(jié)合，意味著 MRDIMM 能在標(biāo)準(zhǔn)速率下同時(shí)跨兩個(gè)陣列（Rank）進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，從而實(shí)現(xiàn)較標(biāo)準(zhǔn) RDIMM 雙倍的數(shù)據(jù)傳輸速率。
瀾起科技總裁 Stephen Tai 表示：
隨著人工智能和其他嚴(yán)苛工作負(fù)載對(duì)內(nèi)存性能的要求日益提升，數(shù)據(jù)中心內(nèi)存不斷向更大容量和更高帶寬方向發(fā)展。
瀾起科技憑借深厚的技術(shù)積累和前瞻性布局，成功量產(chǎn) DDR5 第一子代 MRCD 和 MDB 套片，并迅速迭代推出第二子代 MRCD 和 MDB。這不僅為 DDR5 內(nèi)存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展注入了新的動(dòng)能，也再次鞏固了我們?cè)谌騼?nèi)存接口領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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